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RFN10NS6S

更新时间: 2024-02-13 13:24:58
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 超快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 344K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, LPDS, TO-263S, 3/2 PIN

RFN10NS6S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.43应用:SUPER FAST RECOVERY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.55 V
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:10 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs反向测试电压:600 V
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RFN10NS6S 数据手册

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Data Sheet  
Super Fast Recovery Diode  
RFN10NS6S  
Serise  
Dimensions(Unit : mm)  
Land Size Figure(Unit : mm)  
Standard Fast Recovery  
Applications  
RFN10  
NS6S  
General rectification  
ձꢀ  
Features  
LPDS  
1)Low switching loss  
2)High current overload capacity  
Structure  
ROHM : LPDS  
JEITA : TO263S  
ձꢀ  
Construction  
Manufacture Date  
Silicon epitaxial planer type  
Taping Dimensions(Unit : mm)  
Absolue Maximum Ratings(Tc=25°C)  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Conditions  
Duty0.5  
Limits  
Symbol  
VRM  
Unit  
V
600  
600  
VR  
Direct voltage  
V
Average rectified foward current  
Forward current surge peak  
Junction temperature  
60Hz half sin wave , Resistive load  
60Hz half sin wave , Non-repetitive at Tj=25°C (*1)  
Tc=91°C  
10  
Io  
IFSM  
Tj  
A
100  
A
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
55 to 150  
Tstg  
(*1) 1-3pin common circuit  
Electrical Characteristics(Tj=25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=10A  
Min.  
Typ.  
1.25  
0.05  
30  
Max.  
1.55  
10  
Symbol  
VF  
Unit  
V
Forward voltage  
VR=600V  
IR  
Reverse current  
μA  
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR  
Junction to case  
Reverse recovery time  
Thermal resistance  
trr  
50  
ns  
Rth(j-c)  
3.0  
°C/W  
WWWꢀROHMꢀCOM  
Ú ꢁꢂꢃꢁ 2/(- #Oꢀꢄ ,TDꢀ !LL RIGHTS RESERVEDꢀ  
1/4  
2012.06 - Rev.A  

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RFN10RSM2S is a silicon epitaxial planar type ultra fast recovery diode featuring low V
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RFN10RSM2STF is a silicon epitaxial planar type ultra fast recovery diode featuring low V<
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