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RFN10NS3SFH

更新时间： 2024-01-06 19:20:57
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 超快速恢复二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 1351K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 350V V(RRM), Silicon, TO-263AB, LPDS, TO-263S, 3/2 PIN

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RFN10NS3SFH 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LPDS, TO-263S, 3/2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68应用：SUPER FAST RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.5 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：350 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.03 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

RFN10NS3SFH 数据手册

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Data Sheet  
AEC-Q101 Qualified  
Super Fast Recovery Diode  
RFN10NS3SFH  
lSeries  
lDimensions (Unit : mm)  
lLand size figure (Unit : mm)  
Standard Fast Recovery  
RFN10  
NS3S  
lApplications  
General rectification  
①
lFeatures  
1)Low switching loss  
2)High current overload capacity  
3)Cathode common single type  
lStructure  
②
ROHM : LPDS  
JEITA : TO263S  
lConstruction  
Manufacture Year, Week and Day  
①
①
③
Silicon epitaxial planer  
lTaping dimensions (Unit : mm)  
lAbsolute maximum ratings (Tc=25C)  
Parameter  
Conditions  
Duty≤0.5  
Symbol  
VRM  
VR  
Limits  
350  
350  
10  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
V
V
A
Direct voltage  
60Hz half sin wave resistive load  
Average rectified forward current  
Io  
Tc=88°C  
60Hz half sin wave, Non-repetitive  
one cycle peak value, Tj=25°C (*)  
IFSM  
Forward current surge peak  
100  
A
Junction temperature  
Storage temperature  
(*) 1-3pin common circuit  
Tj  
150  
C  
C  
Tstg  
-55 to +150  
lElectrical characteristics (Tj=25C)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
IF=10A  
Symbol  
VF  
Min.  
－
Typ.  
1.25  
0.05  
22  
Max.  
1.5  
10  
Unit  
V
VR=350V  
Reverse current  
IR  
－
μA  
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR  
junction to case  
Reverse recovery time (*)  
Thermal resistance  
trr  
－
30  
ns  
Rth(j-c)  
－
－
4.0  
°C/W  
(*) Design assurance without measurement.  
www.rohm.com  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2011.10 - Rev.A  
1/4  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RFN10NS3SFH (开发中) ROHM

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 		车载快速恢复二极管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 430V V(RRM), Silicon, TO-263AB, LPDS, TO-263S, 3
RFN10NS4SFH (开发中) ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, LPDS, TO-263S, 3
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