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RFN10BM6SFH

更新时间: 2024-01-08 00:14:58
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描述
Super Fast Recovery Diode

RFN10BM6SFH 数据手册

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Super Fast Recovery Diode  
Datasheet  
RFN10BM6SFH  
AEC-Q101 Qualified  
Series  
Dimensions (Unit : mm)  
Land Size Figure (Unit : mm)  
6.0  
Standard Fast Recovery  
Application  
1.6  
1.6  
1
General rectification  
2.3 2.3  
TO-252  
Features  
Cathode  
1) Low switching loss  
Structure  
JETA : SC-63  
High current overload capacity  
2)  
1
: Manufacture Date  
Anode Anode  
Construction  
Taping Dimensions (Unit : mm)  
2.0±0.05  
1.550.1  
4.0±0.1  
8.0±0.1  
0.4±0.1  
Silicon epitaxial planar type  
TL  
3.00.1  
6.8±0.1  
8.0±0.1  
2.7±0.2  
Absolute Maximum Ratings (Tc= 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Limits  
Unit  
V
VRM  
VR  
Io  
Duty0.5  
600  
600  
10  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Direct voltage  
V
60Hz half sin wave , Resistive load Tc=28°C  
Average rectified foward current  
Forward current surge peak  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
A
IFSM 60Hz half sin wave ,Non-repetitive at Tj=25°C()  
100  
150  
A
Tj  
-
-
°C  
Tstg  
55 to 150 °C  
()1-3pin commom circuit  
Electrical Characteristics (Tj = 25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
IF=10A  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
-
-
-
-
1.25 1.55  
0.05 10  
V
A  
VR=600V  
IR  
Reverse current  
IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25×IR  
Junction to case  
Reverse recovery time  
Thermal resistance  
trr  
30  
-
50  
ns  
Rth(j-c)  
°C / W  
6.0  
www.rohm.com  
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.02 - Rev.C  
1/4  

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