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RD28F1604C3TD70

更新时间： 2024-11-11 22:14:47

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英特尔 - INTEL		闪存
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70页	1167K
描述
3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye

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RD28F1604C3TD70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA66,8X12,32
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.89
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	SRAM IS ORGANIZED AS 256K X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B66	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	66	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA66,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

RD28F1604C3TD70 数据手册

3 Volt Intel^®Advanced+ Boot Block

Flash Memory (C3) Stacked-Chip Scale

Package Family

Datasheet

Product Features

■ Flash Memory Plus SRAM

■ Advanced+ Boot Block Flash Memory

—70 ns Access Time at 2.7 V

—Reduces Memory Board Space

Required, Simplifying PCB Design

Complexity

—Instant, Individual Block Locking

—128 bit Protection Register

—12 V Production Programming

—Ultra Fast Program and Erase Suspend

—Extended Temperature –25 °C to +85 °C

■ Blocking Architecture

■ Stacked-Chip Scale Package (Stacked-

CSP) Technology

—Smallest Memory Subsystem Footprint

—Area : 8 x 10 mm for 16Mbit (0.13 µm)

Flash + 2Mbit or 4Mbit SRAM

—Block Sizes for Code + Data Storage

—4-Kword Parameter Blocks (for data)

—64-Kbyte Main Blocks (for code)

—100,000 Erase Cycles per Block

■ Low Power Operation

—Async Read Current: 9 mA (Flash)

—Standby Current: 7 µA (Flash)

—Automatic Power Saving Mode

■ Flash Technologies

—Area : 8 x 12 mm for 32Mbit (0.13 µm)

Flash + 4Mbit or 8Mbit SRAM

—Height : 1.20 mm for 16Mbit (0.13 µm)

Flash + 2Mbit or 4Mbit SRAM and

32Mbit (0.13um) Flash + 8Mbit SRAM

—Height : 1.40 mm for 32Mbit (0.13 µm)

Flash + 4Mbit SRAM

—This Family also includes 0.25 µm and

0.18 µm technologies

■ Advanced SRAM Technology

—70 ns Access Time

—0.25 µm ETOX™ VI, 0.18 µm ETOX™

VII and 0.13 µm ETOX™ VIII Flash

Technologies

—Low Power Operation

—Low Voltage Data Retention Mode

■ Intel^®Flash Data Integrator (FDI)

—28F160xC3, 28F320xC3

Software

—Real-Time Data Storage and Code

Execution in the Same Memory Device

—Full Flash File Manager Capability

The 3 Volt Intel^®Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip Scale Package

(Stacked-CSP) device delivers a feature-rich solution for low-power applications. The C3

Stacked-CSP memory device incorporates flash memory and static RAM in one package with

low voltage capability to achieve the smallest system memory solution form-factor together with

high-speed, low-power operations. The C3 Stacked-CSP memory device offers a protection

the Intel^®Flash Data Integrator (Intel^®FDI) software, the C3 Stacked-CSP memory device

provides a cost-effective, flexible, code plus data storage solution.

Notice: This document contains information on new products in production. The specifications

are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that you have the lat-

est datasheet before finalizing a design.

252636-001

February, 2003

12 3 4 5 6 7...70

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