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RD28F3202C3T110

更新时间： 2024-02-22 16:06:48

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
66页	605K
描述
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA72, 8 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-72

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RD28F3202C3T110 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	其他特性：	SRAM IS CONFIGURED AS 128 K X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B72	长度：	12 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	72	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

RD28F3202C3T110 数据手册

3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale

Package Memory

28F1602C3, 28F1604C3, 28F3204C3, 28F3208C3

Preliminary Datasheet

Product Features

■ Flash Memory Plus SRAM

■ Advanced+ Boot Block Flash Memory

—90 ns 16-Mb Access Time at 2.7 V

—100 ns 32-Mb Access Time at 2.7 V

—Reduces Memory Board Space

Required, Simplifying PCB Design

Complexity

—110 ns 32-Mb Access Time at 2.7 V with

8-Mbit SRAM

—Instant, Individual Block Locking

—128-bit Protection Register

■ Stacked Chip Scale Package Technology

—Smallest Memory Subsystem Footprint

—16-Mbit Flash + 2-Mbit SRAM:

Area: 8 mm by 10 mm, Height: 1.4 mm

—12 V Production Programming

—Ultra Fast Program and Erase Suspend

—Extended Temperature –25 °C to +85 °C

■ Blocking Architecture

—Block Sizes for Code + Data Storage

—4-Kword Parameter Blocks (for data)

—64-Kbyte Main Blocks (for code)

—100,000 Erase Cycles per Block

■ Low Power Operation

—32-Mbit Flash + 8-Mbit SRAM:

Area: 8 mm by 14mm, Height: 1.4 mm

—32-Mbit Flash + 4-Mbit SRAM,

16-Mbit Flash + 4-Mbit SRAM:

Area: 8 mm by 12 mm, Height: 1.4 mm

■ Advanced SRAM Technology

—70 ns Access Time

—Low Power Operation

—Low Voltage Data Retention Mode

■ Flash Data Integrator (FDI) Software

—Async Read Current: 9 mA

—Real-Time Data Storage and Code

Execution in the Same Memory Device

—Full Flash File Manager Capability

—Standby Current: 10 µA

—Automatic Power Saving Mode

■ 0.25 µm ETOX™ VI Flash Technology

■ Industry Compatibility

—Sourcing Flexibility and Stability

The 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package (Stacked-CSP) memory delivers a feature-

rich solution for low-power applications. Stacked-CSP memory devices incorporate flash

memory and static RAM in one package with low voltage capability to achieve the smallest

system memory solution form-factor together with high-speed, low-power operations. The flash

memory offers a protection register and flexible block locking to enable next generation security

capability. Combined with the Intel-developed Flash Data Integrator (FDI) software, the

Stacked-CSP memory provides you with a cost-effective, flexible, code plus data storage

solution.

Notice: This document contains preliminary information on new products in production. The

specifications are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that

you have the latest datasheet before finalizing a design.

Order Number: 290666-007

February, 2001

12 3 4 5 6 7...66

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