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RD28F3202C3T100

更新时间： 2024-01-20 02:36:42

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
61页	561K
描述
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA72, 8 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, STACK, CSP-72

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RD28F3202C3T100 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.84	其他特性：	SRAM IS CONFIGURED AS 128 K X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B72	长度：	12 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	72	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

RD28F3202C3T100 数据手册

PRODUCT PREVIEW

3 VOLT ADVANCED+ STACKED

CHIP SCALE PACKAGE MEMORY

16-Mbit Flash + 2-Mbit SRAM -- 28F1602C3

32-Mbit Flash + 4-Mbit SRAM -- 28F3204C3

16-Mbit Flash + 4-Mbit SRAM -- 28F1604C3

32-Mbit Flash + 2-Mbit SRAM -- 28F3202C3

Flash Memory Plus SRAM

3 Volt Advanced+ Boot Block Flash

Memory

Reduces Board Design Complexity

90 ns 16-Mb Access Time at 2.7 V

100 ns 32-Mb Access Time at 2.7 V

Low Power Consumption with

9 mA Read and 10 µA Standby

Current

Improved 12 V Production

Programming

Optimized Block Sizes for Code+Data

Storage with 8-Kbyte Parameter and

64-Kbyte Main Blocks

Ultra Fast Program and Erase

Suspend for Code+Data Storage in

Real-Time Applications

Flexible, Instantaneous Individual

Block Locking

128-bit Flexible Protection Register

Minimum 100,000 Erase Cycles per

Block

Manufactured on 0.25 µ ETOX™ VI

Flash Technology with a Path to 0.18

µ Process

Stacked Die, Chip Scale Package

Smallest Possible Memory

Subsystem Footprint

16-Mbit Flash + 2-Mbit SRAM:

8 mm by 10 mm Area, 1.4 mm Height

32-Mbit Flash + 4-Mbit SRAM,

32-Mbit Flash + 2-Mbit SRAM,

16-Mbit Flash + 4-Mbit SRAM:

8 mm by 12 mm Area, 1.4 mm Height

Industry Compatibility

Sourcing Flexibility

Advanced SRAM Technology

70 ns Access Time

Low Power Consumption with

30 mA Read and 0.5 µA Standby

Current

Flash Data Integrator (FDI) Software

Support

Real-Time Data Storage and Code

Execution from the Same Device

No Constraints on Code/Data

Partition Size

Extended Temperature Operation

–40 °C to +85 °C

Full Flash File Manager Capability

The 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package (Stacked-CSP) memory delivers a feature-rich solution

for low-power applications. Stacked-CSP memory devices incorporate flash memory and static RAM in one

package with low voltage capability to achieve the smallest system memory solution form-factor together with

high-speed, low-power operations. The flash memory offers a protection register and flexible block locking to

enable next generation security capability. Combined with the Intel-developed Flash Data Integrator (FDI)

software, the Stacked-CSP memory provides you with a cost-effective, flexible, code plus data storage

solution.

August 1999

Order Number: 290666-004

12 3 4 5 6 7...61

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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