是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LFBGA, BGA68,8X12,32 |
针数: | 66 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.85 |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B66 | 长度: | 10 mm |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度: | 16 | 混合内存类型: | FLASH+SRAM |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 2MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA68,8X12,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大待机电流: | 0.000006 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.055 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL EXTENDED |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 8 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
RD28F1604C3B90 | INTEL |
功能相似 ![]() |
3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD28F3208C3B90 | INTEL |
获取价格 |
3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye |
![]() |
RD28F3208C3T100 | INTEL |
获取价格 |
Memory IC |
![]() |
RD28F3208C3T70 | INTEL |
获取价格 |
3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye |
![]() |
RD28F3208C3T90 | INTEL |
获取价格 |
3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye |
![]() |
RD28F3208VCCT100 | INTEL |
获取价格 |
Memory IC |
![]() |
RD28F3208VCCT110 | INTEL |
获取价格 |
Memory IC |
![]() |
RD28F3208VPPT100 | INTEL |
获取价格 |
Memory IC |
![]() |
RD28F3208VPPT110 | INTEL |
获取价格 |
Memory IC |
![]() |
RD28F3208W30T85 | INTEL |
获取价格 |
Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA80, 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80 |
![]() |
RD28F6408W30B70 | INTEL |
获取价格 |
1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
![]() |