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RB501V-40

更新时间: 2024-11-29 22:06:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 60K
描述
Schottky barrier diode

RB501V-40 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SC-90A
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.17
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.55 VJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e1最大非重复峰值正向电流:1 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:45 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

RB501V-40 数据手册

 浏览型号RB501V-40的Datasheet PDF文件第2页 
RB501V-40  
Diodes  
Schottky barrier diode  
RB501V-40  
!External dimensions (Units : mm)  
!Applications  
Low current rectification  
CATHODE MARK  
CATHODE MARK  
!Features  
1) Small surface mounting type. (UMD2)  
4
4
F
F
2) Low V . (V =0.43V Typ. at 100mA)  
+
0.1  
+0.1  
0.1  
0.05  
0.1  
0.3 0.05  
0.3 0.05  
0.05  
3) High reliability.  
1.25 0.1  
1.25 0.1  
+
0.2  
+0.2  
0.7  
0.1  
0.7  
0.1  
!Construction  
Silicon epitaxial planar  
ROHM : UMD2  
EIAJ : SC-76  
JEDEC : SOD-323  
There are two different markings.  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
Mean rectifying current  
Peak forward surge current  
Junction temperature  
Storage temperature  
60 Hz for 1  
Symbol  
Limits  
45  
Unit  
V
V
RM  
V
R
40  
V
I
O
0.1  
1
A
I
FSM  
A
Tj  
125  
°C  
°C  
Tstg  
40~+125  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.55  
0.34  
30  
Unit  
V
Conditions  
=100mA  
VF1  
VF2  
IR  
I
I
F
F
Forward voltage  
V
=10mA  
Reverse current  
µA  
pF  
V
V
R
=10V  
Capacitance between terminals  
C
T
6.0  
R=10V, f=1MHz  
Note) ESD sensitive product handling required.  

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