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RB500V-40TE-17

更新时间: 2024-11-30 12:14:07
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罗姆 - ROHM 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
Shottky barrier diode

RB500V-40TE-17 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-F2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:7.12
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.45 V
JESD-30 代码:R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流:1 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:45 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RB500V-40TE-17 数据手册

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RB500V-40  
Diodes  
Shottky barrier diode  
RB500V-40  
zApplication  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLead size figure (Unit : mm)  
Low current rectification  
1.25±0.1  
0.1±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
0.9MIN.  
zFeatures  
1) Ultra Small mold type. (UMD2)  
2) Low I  
R
3) High reliability.  
UMD2  
zConstruction  
zStructure  
Silicon epitaxial planar  
0.7±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
0.3±0.05  
ROHM : UMD2  
JEDEC : S0D-323  
JEITA : SC-90/A  
dot (year week factory)  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
φ1.55±0.05  
0.3±0.1  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
4.0±0.1  
φ1.05  
1.40±0.1  
1.0±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
Limits  
Symbol  
VRM  
VR  
Unit  
V
V
45  
40  
Average rectified forward current  
Forward current surge peak 60Hz1cyc)  
Junction temperature  
100  
1
125  
Io  
IFSM  
Tj  
mA  
A
Storage temperature  
-40 to +125  
Tstg  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
IF=10mA  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.45  
1
Unit  
V
VF  
IR  
-
-
-
-
-
Reverse current  
VR=10V  
µA  
pF  
Capacitance between terminals  
VR=10V , f=1MHz  
Ct  
6.0  
-
Rev.A  
1/3  

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