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RB501V-40-BL

更新时间： 2024-11-19 14:55:23

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先科 - SWST		肖特基二极管
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3页	163K
描述
肖特基二极管

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RB501V-40-BL 数据手册

RB501V-40-BL

Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode

PINNING

Features

• High reliability

DESCRIPTION

Cathode

Anode

• Small surface mounting type

Applications

Top View

• Low current rectification

Simplified outline SOD-323 (Bend Lead) and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Average Forward Rectified Current

Peak Forward Surge Current (60 Hz for 1 Cyc.)

Junction Temperature

I_F(AV)

I_FSM

T_j

100

125

℃

- 40 to + 125

Storage Temperature Range

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_(BR)R

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 100 μA

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

at I_F= 100 mA

0.34

0.55

V_F

at I_F= 100 mA , T_J= 125℃

0.43

Reverse Current

at V_R= 10 V

at V_R= 10 V , T_J= 125℃

I_R

µA

200

Capacitance Between Terminals

at V_R= 10 V, f = 1 MHz

3.6

C_T

1 / 3

Dated:08/09/2023 Rev : 02

12 3

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RB501V-40TW	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
RB501V-40TW_16	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
RB501V-40TW_R1_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
RB501V-40TW_R2_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
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