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RB501V-40_1

更新时间： 2024-11-20 02:50:47

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罗姆 - ROHM		二极管
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4页	161K
描述
Shottky barrier diode

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RB501V-40_1 数据手册

RB501V-40

Diodes

Shottky barrier diode

RB501V-40

zApplication

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLead size figure (Unit : mm)

Low current rectification

1.25±0.1

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

0.9MIN.

zFeatures

1) Ultra Small mold type. (UMD2)

2) Low I

3) High reliability.

UMD2

zCondtruction

zStructure

0.7±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

Silicon epitaxial planer

0.3±0.05

ROHM : UMD2

JEDEC : S0D-323

JEITA : SC-90/A

dot (year week factory)

zTaping dimensions (Unit : mm)

φ1.55±0.05

0.3±0.1

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.05

1.40±0.1

1.0±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

100

Average rectified forward current

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

125

-40 to +125

℃

Storage temperature

Tstg

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

0.55

0.34

Unit

Conditions

V_F1

I_F=100mA

Forward voltage

V_F2

I_F=10mA

Reverse current

I_R

V_R=10V

µA

Capacitance between terminals

V_R=10V , f=1MHz

6.0

Rev.B

1/3

12 3 4

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