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RB088NS200FHTL

更新时间： 2024-02-16 13:52:21

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罗姆 - ROHM		/
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描述
Rectifier Diode,

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RB088NS200FHTL 数据手册

RB088NS200FH

Schottky Barrier Diode

(AEC-Q101 qualified)

Data sheet

●Outline

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ

ꢀ

200

ꢀ

100

ꢀ

FSM

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ

●Features

●Inner Circuit

High reliability

Power mold type

Cathode common dual type

Super Low I

●Application

●Packaging Specifications

Packing

Switching power supply

Embossed Tape

Reel Size(mm)

Taping Width(mm)

Quantity(pcs)

330

1000

●Structure

Silicon epitaxial planar

Taping Code

Marking

RB088NS200

(T =25ºC unless otherwise specified)

●Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Duty≦0.5

200

Reverse voltage

Reverse direct voltage

200

60Hzhalf sin waveform，resistive load，

Average rectified forward current

Peak forward surge current

Junction temperature

I /2 per diode，T =115℃Max.

60Hzhalf sin waveform，

100

FSM

non-repetitive，per diode，T =25℃

150

℃

stg

Storage temperature

-55 ～ 150

℃

Attention

www.rohm.com

ꢀ

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1/6

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2019/08/09_Rev.001

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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