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RB088T100NZ

更新时间： 2023-09-03 20:25:05

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关二极管
页数	文件大小	规格书
8页	1411K
描述
RB088T100NZ是面向开关电源的超低IR肖特基势垒二极管。

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RB088T100NZ 数据手册

Schottky Barrier Diode

Datasheet

RB088T100NZ

Application

Dimensions (Unit : mm)

Structure

Switching power supply

Features

1) Cathode common type

(1)

Anode

(2)

(3)

Cathode Anode

2) High reliability

Super low I_R

Construction

Silicon epitaxial planar type

ROHM : TO220FN

: Manufacture Date

Package Dimensions (Unit : mm)

540

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

110

100

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct reverse voltage

Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin wave,

resistive load, I_O/2 per diode, T_c=137ºC Max.

60Hz half sin wave, Non-repetitive at

T_a=25ºC, 1cycle, per diode

Average forward rectified current

Non-repetitive forward current surge peak I_FSM

100

150

T_j

Operating junction temperature

Storage temperature

°C

T_stg

55 to 150 °C

Electrical and Thermal Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=5A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.87

V_R=100V

I_R

Reverse current

A

R_th(j-c)

Junction to case

°C / W

Thermal resistance

www.rohm.com

2017.07 - Rev.B

1/5

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