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RB088T150

更新时间： 2024-02-29 23:52:32

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
5页	550K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB088T150 数据手册

RB088T150

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RB088T150

lApplications

lExternal Dimensions(Unit : mm)

lStructure

Switching power supply

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

lFeatures

1)Cathode common dual type

2)Low IR

3)High reliability

4)AEC-Q101 qualified

lConstruction

Silicon epitaxial

1.2

1.3

0.8

(1) (2) (3)

0.7±0.1

0.05

2.6±0.5

ROHM : TO220FN

Manufacture Date

lAbsolute Maximum Ratings(Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

150

Symbol

V_RM

Unit

V_R

150

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)(*2)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55 to +150

(*1) 1/2 Io per Diode. Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave

(*2) Per Diode.

lElectrical Characteristics(Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=5.0A

Symbol

Min.

Typ.

0.78

Max.

Unit

V_F

I_R

0.88

V_R=150V

Reverse current

Thermal resistance

Rth(j-c)

°C/W

junction to case

www.rohm.com

1/4

2012.08 - Rev.A

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