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RB088T150NZ

更新时间: 2024-11-13 11:16:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关二极管
页数 文件大小 规格书
7页 673K
描述
RB088T150NZ是面向开关电源的超低IR肖特基势垒二极管。

RB088T150NZ 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
RB088T150NZ  
Data Sheet  
lStructure  
lApplication  
lExternal dimensions (Unit : mm)  
4.5±0.3  
ꢀꢀꢀ 0.1  
(2)  
Switching power supply  
2.8±0.2  
ꢀꢀꢀ 0.1  
10.0±0.3  
ꢀꢀꢀ 0.1  
lFeatures  
1) Cathode common dual type  
(1) (3)  
(1) Anode  
(2) Cathode  
(3) Anode  
Low IR  
2)  
3) High reliability  
1
4) AEC-Q101 qualified  
(Limited to HR Type)  
1.2  
1.3  
0.8  
lConstruction  
(1) (2) (3)  
±0.1  
0.75  
2.6±0.5  
Silicon epitaxial planar  
2.54±0.5  
0.05  
1
ROHM : TO220FN  
Manufacture Date  
lPackage Dimensions (Unit : mm)  
7
540  
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
VRM  
VR  
Limits  
150  
Unit  
V
Reverse voltage (repetitive peak)  
Reverse voltage (DC)  
150  
V
10  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz1cyc)(*2)  
Junction temperature  
Io  
A
IFSM  
Tj  
50  
A
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to +150  
(*1) 1/2 Io per Diode. Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave  
(*2) Per Diode.  
lElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Conditions  
Symbol Min. Typ. Max.  
Unit  
V
VF  
IR  
IF=5.0A  
VR=150V  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
0.78 0.88  
-
-
15  
2
mA  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
°C/W junction to case  
www.rohm.com  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.09 - Rev.A  
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