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RB088T150FH

更新时间： 2024-09-23 12:27:39

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
6页	290K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB088T150FH 数据手册

Schottky Barrier Diode

Datasheet

Structure

RB088T150

Application

External dimensions (Unit : mm)

(1)

Switching power supply

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

Features

1) Cathode common dual type

(2) (3)

(1) Cathode

(2) Anode

(3) Anode

Low I_R

3) High reliability

4) AEC-Q101 qualified

1.2

1.3

0.8

Construction

Silicon epitaxial planar

(1) (2) (3)

0.7±0.1

0.75

2.6±0.5

2.54±0.5

0.05

ROHM : TO220FN

Manufacture Date

Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Limits

150

Unit

V_RM

V_R

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)(*2)

Junction temperature

I_FSM

150

°C

Storage temperature

Tstg

55 to 150

(*1) 1/2 Io per Diode. Mounting on epoxi board. 180°Half sine wave

(*2) Per Diode.

Electrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Conditions

Symbol Min. Typ. Max.

Unit

V_F

I_R

I_F=5.0A

V_R=150V

Forward voltage

Reverse current

0.78 0.88

A

Thermal resistance

Rth(j-c)

°C/W junction to case

www.rohm.com

2013.02 - Rev.B

1/4

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