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R6003KND4

更新时间： 2024-03-03 10:10:37

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描述
R6009KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

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R6003KND4 数据手册

R6003KND4

Nch 600V 1.3A Power MOSFET

Datasheet

llOutline

SOT-223-3

V_DSS

600V

1.5Ω

R_DS(on)(Max.)

I_D

±1.3A

7.8W

P_D

llFeatures

llInner circuit

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Parallel use is easy

4) Pb-free plating ; RoHS compliant

llApplication

llPackaging specifications

Switching applications

Packing

Embossed Tape

TL1

Packing code

Marking

R6003KND4

4000

Quantity (pcs)

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

Value

600

Unit

V_DSS

Continuous drain current (T_c= 25°C)

Pulsed drain current

I_D

±1.3

I_DP

±6.0

static

±20

V_GSS

I_AS

Gate - Source voltage

AC(f>1Hz)

±30

Avalanche current, single pulse

Avalanche energy, single pulse

Power dissipation (T_c= 25°C)

Junction temperature

0.5

E_AS

13.4

℃

P_D

T_j

7.8

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

www.rohm.com

1/12

20230831 - Rev.002

12 3 4 5 6 7...15

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