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QS8004DH2TP

更新时间： 2023-12-06 20:12:50

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力特 - LITTELFUSE		开关高压可控硅
页数	文件大小	规格书
7页	433K
描述
这款4安培过压开关集成了一个具有高压箝位功能的三端双向可控硅结构，以确保能够承受高过压事件，例如IEC 61000-4-5标准中描述的线路瞬变。这个双向固态开关系列旨在用于交流开关和相位控制应

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QS8004DH2TP 数据手册

QS8004xHx

Thyristor Datasheet

Packing Speciﬁcations

Meets all EIA-481-2 Standards

0.157

(4.0)

0.059

(1.5)

DIA

Gate

MT1

0.63

0.524

(13.3)

(16.0)

0.315

Cover tape

MT2

(8.0)

12.99

(330.0)

0.512 (13.0) Arbor

Hole Dia.

Dimensions

are in inches

(and millimeters).

0.64

(16.3)

Direction of Feed

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Revised: TK.06/15/2023

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与QS8004DH2TP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QS8004DH4RP	LITTELFUSE	这款4安培过压开关集成了一个具有高压箝位功能的三端双向可控硅结构，以确保能够承受高过压事件	获取价格
QS8004DH4TP	LITTELFUSE	这款4安培过压开关集成了一个具有高压箝位功能的三端双向可控硅结构，以确保能够承受高过压事件	获取价格
QS820K	OHMITE	General Purpose Inductor, 0.82uH, 10%, 1 Element, Iron-Core, AXIAL LEADED	获取价格
QS821K	OHMITE	General Purpose Inductor, 8.2uH, 10%, 1 Element, Iron-Core, AXIAL LEADED	获取价格
QS822K	OHMITE	General Purpose Inductor, 82uH, 10%, 1 Element, Iron-Core, AXIAL LEADED	获取价格
QS823K	OHMITE	General Purpose Inductor, 820uH, 10%, 1 Element, Iron-Core, AXIAL LEADED	获取价格