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QS86446-15V

更新时间: 2024-01-20 14:44:35
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 856K
描述
64KX4 CACHE SRAM, 15ns, PDSO28

QS86446-15V 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX4
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.015 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.165 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

QS86446-15V 数据手册

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