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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17 |
| 针数： | 17 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D17 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 17 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| QM15TB-24B | MITSUBISHI |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 17 Pin, MODULE |
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| QM15TB2H | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 15A I(C) |
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| QM15TB-2H | MITSUBISHI |
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MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM15TB2HB | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 15A I(C) |
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| QM15TB-2HB | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM15TD-9B | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 17 Pin, MODULE |
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| QM15TD-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM15TD-HB | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM15TG9B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) |
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| QM15TG-9B | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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