QM15TB-2H

更新时间： 2024-11-08 22:18:51

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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5页	81K
描述
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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QM15TB-2H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	15 A
配置：	COMPLEX	最小直流电流增益 (hFE)：	75
最大降落时间（tf）：	3000 ns	JESD-30 代码：	R-PUFM-D17
元件数量：	6	端子数量：	17
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

QM15TB-2H 数据手册

MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES

QM15TB-2H

MEDIUM POWER SWITCHING USE

INSULATED TYPE

QM15TB-2H

• IC

Collector current .......................... 15A

• VCEX Collector-emitter voltage ......... 1000V

• hFE DC current gain...............................75

• Insulated Type

• UL Recognized

Yellow Card No. E80276 (N)

File No. E80271

APPLICATION

Inverters, Servo drives, DC motor controllers, CVCF, NC equipment, Welders

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

107

21.5

21.5 17.5

BuP

EuP

BvP

EvP

BwP

EwP

2–φ5.5

BuP EuP BvP EvP BwPEwP

BuN

EuN

BvN

EvN

BwN

EwN

EvN BwNEwN

BuN EuN BvN

7.5 14 7.5 14 7.5 16

Fig. 1

Fig. 2

Tab#250, t=0.8 (Fig. 1)

Tab#110, t=0.5 (Fig. 2)

6.35

3.8

2.8

φ1.2

φ1.65

LABEL

Note: All Transistor Units are 3-Stage Darlingtons.

Feb.1999

12 3 4 5

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与QM15TB-2H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QM15TB2HB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1KV V(BR)CEO \| 15A I(C)
QM15TB-2HB	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM15TD-9B	MITSUBISHI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 17 Pin, MODULE
QM15TD-H	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM15TD-HB	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM15TG9B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| DARLINGTON \| 450V V(BR)CEO \| 15A I(C)
QM15TG-9B	MITSUBISHI	获取价格	MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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