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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| QM200DY-2H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM200DY2HB | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
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| QM200DY-2HB | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM200DY-HB | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM200DY-HK | MITSUBISHI |
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Power Bipolar Transistor, 200A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 11 Pin, MODUL |
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| QM200HA24 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
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| QM200HA-24 | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM200HA-2H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM200HA-HK | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| QM200HC-M | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
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