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Q62702-C1480

更新时间： 2024-09-13 22:44:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	138K
描述
PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain)

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Q62702-C1480 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

Q62702-C1480 数据手册

PNP Silicon AF Transistors

BCW 67

BCW 68

● For general AF applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: BCW 65, BCW 66 (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BCW 67 A

BCW 67 B

BCW 67 C

BCW 68 F

BCW 68 G

BCW 68 H

DAs

DBs

DCs

DFs

DGs

DHs

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Q62702-C1893

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SOT-23

For detailed information see chapter Package Outlines.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4 5 6

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