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Q62702-C1493

更新时间： 2024-09-13 22:44:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管放大器
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描述
PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current)

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Q62702-C1493 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	4000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

Q62702-C1493 数据手册

PNP Silicon Darlington Transistors

BCV 26

BCV 46

● For general AF applications

● High collector current

● High current gain

● Complementary types: BCV 27, BCV 47 (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BCV 26

BCV 46

FDs

FEs

Q62702-C1493

Q62702-C1475

SOT-23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol Values

Unit

BCV 26

BCV 46

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

500

Peak collector current

Base current

800

100

200

360

150

Peak base current

Total power dissipation, T

= 74 ˚C Ptot

˚C

Junction temperature

Storage temperature range

stg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 280

≤ 210

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3 4

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