RECTRON SEMICONDUCTOR 更新时间：2024-06-27 12:14:08
Rectron有限公司由经验丰富的半导体工程师团队于1976年1月在台北土城成立。由当地融资，Rectron 很快成为公认的优质离散半导体供应商。1981 年，Rectron 通过独家分销商和代理商网络直接进入全球半导体市场，增加了销售收入。 Rectron 于 1985 年 1 月获得首次公开发行普通股的批准，并在美国洛杉矶开设了全资子公司：伦敦， 英国;和香港。1994年初，Rectron在中国委托一家工厂，以提高我们的竞争优势，提高离散产品制造能力。
| 型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
| RM50N60T2 | RECTRON | 获取价格 |  |
栅 | Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 50 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 14 mOhms;Total Gate Charge (nQ) | |
| SC3S06520A | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 650 V;Forward Current Io : 20.0 A;Max Surge Current : 200 A;Forward V | ||
| DS210W-W-A02 | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 2.0 A;Max Surge Current : 50 A;Forward Vol | ||
| RM8205F | RECTRON | 获取价格 | |
Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 6.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 11.5 mOhms;Maximum Power Dissi | ||
| BSS127 | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 600 V;Id @ 25C (A) : 0.021 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 310000 mOhms;Total Gate Cha | |
| DB2014S | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 1400 V;Forward Current Io : 2.0 A;Max Surge Current : 50 A;Forward Vo | ||
| RM2306E | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 5.3 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 26 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
| RM60N150DF | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 60.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 13 mOhms;Total Gate Charge ( | |
| BAS16T | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 150 mA;Max Surge Current : 2.0 A;Forward V | ||
| BAS21TW | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 250 V;Forward Current Io : 200 mA;Max Surge Current : 2.0 A;Forward V | ||
| SR16200CS | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 200 V;Forward Current Io : 16 A;Max Surge Current : 150 A;Forward Vol | ||
| BAS116W | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 90 V;Forward Current Io : 215 mA;Max Surge Current : 4.0 A;Forward Vo | ||
| FML5120B | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 120 V;Forward Current Io : 5.0 A;Max Surge Current : 100 A;Forward Vo | ||
| RMP5N50T2 | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 500 V;Id @ 25C (A) : 5.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1350 mOhms;Total Gate Charge | |
| RM830 | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 500 V;Id @ 25C (A) : 5.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1150 mOhms;Total Gate Charge | |
| RM60N80D3 | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 60 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.2 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
| RM04N30S2 | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 3.6 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 58 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
| RB520S-40 | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 40 V;Forward Current Io : 0.2 A;Max Surge Current : 1.0 A;Forward Vol | ||
| RM210N75HD | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 75 V;Id @ 25C (A) : 210 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge (n | |
| S3MBF | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 1000 V;Forward Current Io : 3.0 A;Max Surge Current : 100 A;Forward V | ||
| SBAT116 | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 85 V;Forward Current Io : 215 mA;Max Surge Current : 4.0 A;Forward Vo | ||
| RM5N30S6 | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 5.0 A;Total Gate Charge (nQ) typ : 7.2 nQ;Maximum Power Dis | |
| RM21N650T7 | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 650 V;Id @ 25C (A) : 21 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 180 mOhms;Total Gate Charge (n | |
| RM20N150LD | RECTRON | 获取价格 | |
栅 | Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 20 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 59 mOhms;Total Gate Charge (nQ | |
| 3SS30L | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 30 V;Forward Current Io : 3.0 A;Max Surge Current : 50 A;Forward Volt | ||
| RB520S-30 | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 30 V;Forward Current Io : 0.2 A;Max Surge Current : 1.0 A;Forward Vol | ||
| TEP0801CM | RECTRON | 获取价格 | |
电视 | Reverse Current Ir : 1.0 uA;Package / Case : DFN1006;Breakdown Voltage Vbr : 8.0 V;Operati | |
| BAT46JV | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 0.15 A;Max Surge Current : 0.75 A;Forward | ||
| SS8050 | RECTRON | 获取价格 | |
Package / Case : SOT-23;Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 0.3 W;Transistor Polarity | ||
| ESD0301LD | RECTRON | 获取价格 | |
Reverse Current Ir : 0.1 uA;Package / Case : DFN1006;Breakdown Voltage Vbr : 4.2 V;Operati | ||
RECTRON SEMICONDUCTOR 经销商与分销商
| 公司名称 | 类型 | 国家 | 官网 | 地址 |
| Willas-array(威雅利) | 分销商 | 中国 | https://www.willas-array.com/ | 福建省厦门市湖滨南路90号立信广场18楼10单元 |
| Sekorm(世强先进) | 分销商 | 中国 | https://www.sekorm.com/ | 深圳市龙岗区坂田街道雪岗路2018号天安云谷产业园一期3栋A座23楼 |
| 艾睿电子 | 分销商 | 中国 | https://www.arrow.cn/ | 上海市静安区裕通路100号宝矿洲际商务中心12层艾睿电子 |
| 贸泽电子 | 经销商 | 中国 | https://www.mouser.cn/ | 上海市长宁区娄山关路555号长房国际广场办公楼2506-2510室 |
RECTRON SEMICONDUCTOR 热门型号
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