5秒后页面跳转

Datasheet > PPF75N10NE3

PPF75N10NE3 PDF预览

PPF75N10NE3

更新时间： 2024-11-07 20:47:15

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PPF75N10NE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-258AA	JESD-30 代码：	R-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PPF75N10NE3 数据手册

浏览型号PPF75N10NE3的Datasheet PDF文件第2页

A

b

o

u

t

N

e

w

C

o

n

t

a

c

t

E

m

p

lo

y

m

e

S

i

t

e

H

o

m

k

e

y

e

w

o

r

d

p

m b e

a

r

r

t

n

u

s

a

r

c

h

:

s

e

a

r

c

h

:

P

P

F

7

5

N

1

0

N

(

#

4

5

8

2

2

)

P

a

c

k

a

g

e

N

C

h

a

n

n

e

l

M

O

re

S

nc

F

e

E

T

T

O

-

2

5

8

(

S

T

D

)

(

n

o

n

e

)

D

i

v

i

si

o

n

L

a

w

Da ta she e t

(

n

o

n

e

)

M

i

l

-

S

p

e

c

S

h

i

p

p

i

ng

C

o

n

t

a

c

t

M

i

c

r

o

s

e

m

i

(

n

o

n

e

)

Q

u

a

l

D

a

t

a

M

a

x

i

m

u

m

E

l

e

c

t

r

i

c

a

l

R

a

t

i

n

g

S

y

m

b

o

l

M

a

x

U

n

i

t

B

r

e

a

k

d

o

w

n

V

o

l

t

a

g

e

D

r

a

i

n

-

t

o

-

S

o

u

r

c

e

B

VDSS

1

0

0

V

D

r

a

i

n

C

u

r

r

e

n

t

(

C

o

n

t

i

n

u

o

u

s

)

(

T

=

=

2

5

º

C

)

I

I

1

D

5

0

A

A

(

T

1

0

0

º

C

)

2

D

5

0

A

A

P

o

w

e

r

D

i

s

s

i

p

a

t

i

o

n

P

3

0

0

W

D

T

h

e

r

m

a

l

R

e

s

i

s

t

a

n

c

e

,

J

u

n

c

t

i

o

n

t

o

C

a

se

R

θ

0.

42

º

C

/

W

a

t

t

J

C

E

l

e

c

t

r

i

c

a

l

R

a

t

i

ng

S

y

m

b

o

l

Mi

n

T

y

p

Max

U

n

i

t

S

t

a

t

i

c

D

r

a

i

n

t

o

S

o

u

r

c

e

"

o

n

"

R

e

s

i

s

t

a

n

c

e

R

DS(on)

0

.

0

2

5

O

h

m

Pr

i

v

a

c

y

P

o

l

i

c

y

|

Sit

e

M

a

p

P

P

G

Webex

P

o

r

t

a

l

|

P

P

G

E

x

t

r

a

n

e

t

Lo

g

i

n

A

v

i

o

n

i

c

s

|

B

a

c

k

l

i

g

h

t

I

n

v

e

r

t

e

rs

|

L-

B

a

n

d

R

a

d

a

r

|

L

E

D

D

r

i

v

e

r

|

L

D

M

O

S

&

V

D

M

O

S

|

M

O

S

F

E

T

s

,

I

G

B

T

s

,

&

D

i

o

d

es

|

P

in

D

i

o

|

d

S

e

C

s

R

|

P

|

o

T

w

hy

e

r

r

i

M

o

rs

d

|

u

V

l

e

s

a

R

F

P

o

w

e

r

&

B

i

p

o

lar

Tr

a

n

s

i

s

t

o

rs

|

S

-

B

a

n

d

R

a

d

a

r

s

t

o

rac

t

e

r

D

i

o

d

e

|

W

L

A

N

P

ower

A

m

p

l

i

f

i

e

r

|

Z

e

n

e

r

D

i

o

d

e

|

P

o

E

|

P

o

E

IC s

12

中文翻译

下载PDF

与PPF75N10NE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PPF75N10P	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
PPF75N10PE3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
PPF9130E	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
PPF9130EE3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
PPF9130G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
PPF9130GE3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
PPF9140E	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
PPF9140EE3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
PPF9140G	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
PPF9140GE3	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

与PPF75N10NE3相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

14
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

35

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证