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Datasheet > PPF75N10NE3
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PPF75N10NE3

更新时间： 2024-11-21 20:47:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 134K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA

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PPF75N10NE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-258AAJESD-30 代码：R-XSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PPF75N10NE3 数据手册

 浏览型号PPF75N10NE3的Datasheet PDF文件第2页 
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