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Datasheet > PPF5305ME3
PPF5305ME3 PDF预览

PPF5305ME3

更新时间： 2024-11-07 21:13:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 133K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

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PPF5305ME3 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-254AAJESD-30 代码：S-XSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PPF5305ME3 数据手册

 浏览型号PPF5305ME3的Datasheet PDF文件第2页 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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