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PNZ120SQ PDF预览

PNZ120SQ

更新时间： 2024-11-21 21:13:31
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松下 - PANASONIC 光电
页数 文件大小 规格书
2页 176K
描述
Photo Transistor, 800nm, CERAMIC PACKAGE-2

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PNZ120SQ 技术参数

生命周期：Active包装说明：CERAMIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.70.80
风险等级：5.05Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V
配置：SINGLE最大暗电源：500 nA
红外线范围：YES标称光电流：1 mA
功能数量：1最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C光电设备类型：PHOTO TRANSISTOR
峰值波长：800 nm形状：ROUND
尺寸：3 mmBase Number Matches：1

PNZ120SQ 数据手册

 浏览型号PNZ120SQ的Datasheet PDF文件第2页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Phototransistors  
PNZ120S (PN120S)  
Silicon planar type  
Unit: mm  
For optical control systems  
φ3.0 0.2  
■ Features  
• High sensitivity  
• Wide directivity characteristics for easy use  
• Fast response: tr , tf = 3 µs (typ.)  
• Signal mixing capability using base pin  
• Small size (φ3) ceramic package  
φ0.3 0.05  
φ0.45 0.05  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
0.9 0.15  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-collector voltage (Base open) VECO  
30  
5
20  
V
2
1
Collector current  
IC  
mA  
mW  
°C  
Collector power dissipation  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
PC  
50  
1: Collector  
2: Emitter  
Topr  
Tstg  
−25 to +85  
−30 to +100  
°C  
■ Electrical-Optical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
ICE(L)1  
ICE(L)2  
ICEO  
Conditions  
VCE = 10 V, L = 2 lx  
Min  
3
Typ  
Max  
Unit  
µA  
mA  
nA  
nm  
°
1,  
2
*
Photocurrent *  
VCE = 10 V, L = 500 lx  
VCE = 10 V  
1.0  
Dark current  
5
500  
Peak emission wavelength  
Half-power angle  
λp  
VCE = 10 V  
800  
50  
θ
The angle from which photocurrent  
becomes 50%  
3
Rise time *  
tr  
tf  
VCC = 10 V, ICE(L) = 5 mA, RL = 100 Ω  
3
3
µs  
µs  
V
3
Fall time *  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) ICE(L) = 1 mA, L = 1000 lx  
0.2  
0.5  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.  
3. This device is designed be disregarded radiation.  
5. 1: Source: Tungsten (color temperature 2856 K)  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
ICE(L)1  
ICE(L)2  
QL  
RL  
SL  
>24  
Q
R
S
3 to 16  
5 typ.  
10 to 30  
6 typ.  
8 typ.  
1.0 to 5.0  
4.0 to 9.0  
>7.0  
3: Switching time measurement circuit  
*
Sig. in  
VCC  
tr: Rise time  
tf: Fall time  
(Input pulse)  
90%  
10%  
Sig. out  
(Output pulse)  
50 Ω  
RL  
tr  
tf  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: June 2007  
SHE00014CED  
1
12

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