PNZ147

更新时间： 2024-11-21 10:06:59

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Silicon planar type

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PNZ147 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	LTTLW102-001, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.70.80
风险等级：	5.84	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	20 V
配置：	SINGLE	最大暗电源：	500 nA
红外线范围：	YES	标称光电流：	3.5 mA
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR
峰值波长：	800 nm	形状：	ROUND
尺寸：	1.8 mm	Base Number Matches：	1

PNZ147 数据手册

Phototransistors

PNZ147 (PN147)

Silicon planar type

Unit: mm

For optical control systems

Type number : cathode mark (Green)

ꢀ±.± min.

3.2±±.3

■ Features

3.2±±.3

• High sensitivity

(φꢀ.8)

• Wide spectral sensitivity characteristics, suited for detecting GaAs

LEDs

• Fast response: t_r, t_f= 3 µs (typ.)

• Small size designed for easier mounting to printed circuit board

ꢀ

(ꢀ.8)

2.8±±.2

R±.9

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-collector voltage (Base open) V_ECO

Collector current

I_C

°C

1: Collector

2: Emitter

LTTLW102-001 Package

Collector power dissipation

Operating ambient temperature

Storage temperature

P_C

T_opr

T_stg

−25 to +85

−30 to +100

°C

■ Electrical-Optical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

V_CE= 10 V, L = 2 lx

Min

Typ

Max

Unit

µA

Photocurrent ^*

I_CE(L)1

I_CE(L)2

I_CEO

λ_p

V_CE= 10 V, L = 500 lx

V_CE= 10 V

3.5

0.01

800

Dark current

0.50

Peak emission wavelength

Half-power angle

V_CE= 10 V

The angle from which photocurrent

becomes 50%

Rise time ^*

t_r

t_f

V_CC= 10 V, I_CE(L)= 5 mA, R_L= 100 Ω

µs

Fall time ^*

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_CE(L)= 1 mA, L = 1000 lx

0.2

0.5

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.

3. This device is designed be disregarded radiation.

5. 1: Source: Tungsten (color temperature 2856 K)

2: Rank classification

Rank

I_CE(L)(µA)

3.0 to 11.0

7.0 to 24.0

>16.0

3: Switching time measurement circuit

Sig. in

V_CC

t_r: Rise time

t_f: Fall time

(Input pulse)

90%

10%

Sig. out

(Output pulse)

50 Ω

R_L

t_r

t_f

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: April 2004

SHE00017BED

12 3

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