PNZ163NC

更新时间： 2024-11-20 22:26:23

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松下 - PANASONIC		晶体光电晶体管光电晶体管
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描述
Silicon NPN Phototransistor

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PNZ163NC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	ROHS COMPLIANT, ULTRAMINIATURE, LSTLR102NC-002, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.70.80
风险等级：	5.84	其他特性：	HIGH SENSITIVITY
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	20 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	200 nA	红外线范围：	YES
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	功能数量：	1
最大通态电流：	0.02 A	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR
峰值波长：	850 nm	最大功率耗散：	0.05 W
形状：	ROUND	尺寸：	1.1 mm
子类别：	Photo Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

PNZ163NC 数据手册

Phototransistors

PNZ163NC (PN163-(NC))

Silicon NPN Phototransistor

Unit : mm

1.95±0.25

For optical control systems

1.4±0.2

3.0±0.3

ø1.1

R0.5

0.9

0.5

Features

High sensitivity

Fast response : t_r= 4 µs (typ.)

Adoption of visible light cutoff resin

Ultraminiature, thin side-view type package

2-0.5±0.15

0.3±0.15

2.54

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

V_CEO

I_C

Ratings

Unit

1: Collector

2: Emitter

Collector to emitter voltage

Collector current

˚C

Collector power dissipation

Operating ambient temperature

Storage temperature

P_C

T_opr

–25 to +85

–30 to +100

T_stg

˚C

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Dark current

Symbol

Conditions

min

typ

max

0.2

Unit

µA

deg.

µs

I_CEO

V_CE= 10V

Sensitivity to infrared emitters

Peak sensitivity wavelength

Acceptance half angle

Rise time

S_IR

V_CE= 10V, H = 15µW/cm²

λ_P

t_r^*2

t_f^*2

V_CE= 10V

850

Measured from the optical axis to the half power point

V_CC= 10V, I_CE(L)= 5mA

R_L= 100Ω

Fall time

µs

Collector saturation voltage V_CE(sat)I_CE(L)= 3µA, H = 15µW/cm²

0.5

^*1Measurements were made using infrared light (λ = 940 nm) as a light source.

^*2Switching time measurement circuit

Sig.IN

V_CC

t_d: Delay time

(Input pulse)

t_r: Rise time (Time required for the collector photo current to

increase from 10% to 90% of its final value)

90%

10%

Sig.OUT

(Output pulse)

t_d

t_f: Fall time (Time required for the collector photo current to

decrease from 90% to 10% of its initial value)

50Ω

R_L

t_r

t_f

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PNZ163NC(PN163-(NC))	ETC	获取价格	PNZ163NC (PN163-(NC)) - Silicon NPN Phototransistor
PNZ163NZ	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| NPN \| 850NM PEAK WAVELENGTH \| 20M \| LED-7C
PNZ202S	PANASONIC	获取价格	Photo Darlington, 800nm, CERAMIC, CTRLR102-001, 2 PIN
PNZ202S(PN202S)	ETC	获取价格	光デバイス－受光素子－ダーリントンフォトトランジスタ
PNZ202SQ	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| DARLINGTON \| 800NM PEAK WAVELENGTH \| 30M \| DOME-3.0
PNZ202SQL	PANASONIC	获取价格	Photo Darlington, 800nm, 0.03A I(C), CERAMIC, CTRLR102-001, 2 PIN
PNZ202SR	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| DARLINGTON \| 800NM PEAK WAVELENGTH \| 30M \| DOME-3.0
PNZ202SS	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| DARLINGTON \| 800NM PEAK WAVELENGTH \| 30M \| DOME-3.0
PNZ263L	PANASONIC	获取价格	Darlington Phototransistor
PNZ263L(PN263L-(NC))	ETC	获取价格	PNZ263L (PN263L-(NC)) - Darlington Phototransistor

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