PNZ120S

更新时间： 2024-11-20 21:55:15

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For optical control systems

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PNZ120S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CERAMIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.70.80
风险等级：	5.11	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	30 V
配置：	SINGLE	最大暗电源：	500 nA
红外线范围：	YES	标称光电流：	1 mA
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	PHOTO TRANSISTOR
峰值波长：	800 nm	形状：	ROUND
尺寸：	3 mm	Base Number Matches：	1

PNZ120S 数据手册

Phototransistors

PNZ120S (PN120S)

Silicon planar type

Unit: mm

For optical control systems

φ3.0 0.ꢀ1

■ Features

• High sensitivity

• Wide directivity characteristics for easy use

• Fast response: t_r, t_f= 3 µs (typ.)

• Signal mixing capability using base pin

• Small size (φ3) ceramic package

φ0.3 0.01

φ0.41 0.01

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

0.9 0.ꢀ1

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-collector voltage (Base open) V_ECO

ꢀ

Collector current

I_C

°C

1: Collector

2: Emitter

Collector power dissipation

Operating ambient temperature

Storage temperature

P_C

CTRLR102-001 Package

T_opr

T_stg

−25 to +85

−30 to +100

°C

■ Electrical-Optical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CE(L)1

I_CE(L)2

I_CEO

Conditions

V_CE= 10 V, L = 2 lx

Min

Typ

Max

Unit

µA

Photocurrent ^*

V_CE= 10 V, L = 500 lx

V_CE= 10 V

1.0

Dark current

500

Peak emission wavelength

Half-power angle

λ_p

V_CE= 10 V

800

The angle from which photocurrent

becomes 50%

Rise time ^*

t_r

t_f

V_CC= 10 V, I_CE(L)= 5 mA, R_L= 100 Ω

µs

Fall time ^*

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_CE(L)= 1 mA, L = 1000 lx

0.2

0.5

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. Spectral sensitivity characteristics: Sensitivity for wave length over 400 nm maximum sensitivity ratio is 100%.

3. This device is designed be disregarded radiation.

5. 1: Source: Tungsten (color temperature 2856 K)

2: Rank classification

Rank

I_CE(L)1

I_CE(L)2

>24



3 to 16

5 typ.

10 to 30

6 typ.

8 typ.

1.0 to 5.0

4.0 to 9.0

>7.0

3: Switching time measurement circuit

Sig. in

V_CC

t_r: Rise time

t_f: Fall time

(Input pulse)

90%

10%

Sig. out

(Output pulse)

50 Ω

R_L

t_r

t_f

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: April 2004

SHE00014BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PNZ120S(PN120S)	ETC	获取价格	PNZ120S (PN120S) - Silicon NPN Phototransistor
PNZ120S(PN120S-MC)	ETC	获取价格	光デバイス－受光素子－フォトトランジスタ
PNZ120SQ	PANASONIC	获取价格	Photo Transistor, 800nm, CERAMIC PACKAGE-2
PNZ120SQL	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| NPN \| 800NM PEAK WAVELENGTH \| 20M \| DOME-3.0
PNZ120SR	PANASONIC	获取价格	Photo Transistor, 800nm, CERAMIC PACKAGE-2
PNZ120SRL	PANASONIC	获取价格	Photo Transistor, 800nm, 0.02A I(C), CERAMIC PACKAGE-2
PNZ120SS	PANASONIC	获取价格	Photo Transistor, 800nm, CERAMIC PACKAGE-2
PNZ120SSL	ETC	获取价格	PHOTOTRANSISTOR \| NPN \| 800NM PEAK WAVELENGTH \| 20M \| DOME-3.0
PNZ121S	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN Phototransistor
PNZ121S(PN121S)	ETC	获取价格	光デバイス－受光素子－フォトトランジスタ

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