是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 3 | 其他特性: | LOW THRESHOLD |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.9 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.9 A |
最大漏源导通电阻: | 0.076 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.92 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DMG3415U-7 | DIODES |
功能相似 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMV65XP,215 | NXP |
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PMV65XP - 20 V, single P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin | |
PMV65XP/MIR | NXP |
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PMV65XP - 20 V, single P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin | |
PMV65XPE | NXP |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal | |
PMV65XPE | NEXPERIA |
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20 V, P-channel Trench MOSFETProduction | |
PMV65XPEA | NXP |
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SMALL SIGNAL, FET | |
PMV65XPEA | NEXPERIA |
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20 V, P-channel Trench MOSFETProduction | |
PMV6DW1BBLK | E-SWITCH |
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PMV6DW2BBLK | E-SWITCH |
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PMV6DW2BBLU | E-SWITCH |
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PMV6DW2BRED | E-SWITCH |
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