PMV65XP

更新时间： 2024-11-20 22:19:43

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	78K
描述
P-channel TrenchMOS extremely low level FET

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PMV65XP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.9 A	最大漏极电流 (ID)：	3.9 A
最大漏源导通电阻：	0.076 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.92 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PMV65XP 数据手册

PMV65XP

P-channel TrenchMOS™ extremely low level FET

Rev. 01 — 28 September 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

P-channel enhancement mode ﬁeld effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Low threshold voltage

■ Low on-state resistance.

1.3 Applications

■ Low power DC-to-DC converters

■ Battery management

■ Load switching

■ Battery powered portable equipment.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ −20 V

■ I_D≤ −3.9 A

■ R_DSon≤ 76 mΩ

■ Q_gd= 0.65 nC (typ).

2. Pinning information

Table 1:

Discrete pinning

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

source (s)

drain (d)

SOT23

003aaa671

SOT23

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DMG3415U-7	DIODES	功能相似	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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