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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 800 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMD17K100TIN/LEAD#N/A | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| PMD17K60 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Darlingtion Power Transistor |
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| PMD17K60 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| PMD17K60#N/A | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| PMD17K80 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
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| PMD17K80 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Darlingtion Power Transistor |
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| PMD17K80#N/A | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| PMD17K80LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| PMD17K80PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| PMD17K80TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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