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PMD17K80TIN/LEAD

更新时间: 2024-11-25 13:12:27
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1页 57K
描述
Power Bipolar Transistor,

PMD17K80TIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.78
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):800JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

PMD17K80TIN/LEAD 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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