5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-204AA |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.23 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 800 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN (315) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMD18K60 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS |
|
| PMD18K80 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS |
|
| PMD18K80LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| PMD19D100 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
|
| PMD19D80 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-3 |
|
| PMD19K100 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS |
|
| PMD19K100LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| PMD19K60 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
|
| PMD19K60LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| PMD19K80 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
