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PMD2001D

更新时间: 2024-02-02 15:45:32
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 956K
描述
Low VCEsat (BISS) transistors

PMD2001D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TSOP
包装说明:PLASTIC, SC-74, TSOP-6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.4最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:COMMON BASE AND COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN AND PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):5 ns最大开启时间(吨):6 ns
Base Number Matches:1

PMD2001D 数据手册

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