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PMD19K80LEADFREE PDF预览

PMD19K80LEADFREE

更新时间： 2024-02-17 09:53:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 488K
描述
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

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PMD19K80LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.66
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：30 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：800JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

PMD19K80LEADFREE 数据手册

 浏览型号PMD19K80LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
PMD18K SERIES  
PMD19K SERIES  
NPN  
PNP  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY SILICON  
DARLINGTON POWER  
TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR PMD18K, PMD19K  
series types are complementary silicon Darlington  
power transistors, manufactured by the epitaxial base  
process, designed for power switching applications.  
These devices are designed to be electrical/mechanical  
equivalents to Lambda part numbers.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-3 CASE  
PMD18K80 PMD18K100  
PMD19K80 PMD19K100  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
C
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
V
80  
80  
80  
100  
100  
100  
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
V
V
5.0  
30  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
I
A
C
I
60  
A
CM  
I
750  
240  
mA  
W
B
Power Dissipation (T =50°C)  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
0.625  
°C  
°C/W  
J
stg  
Thermal Resistance  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=54V, R =2.2kΩ (PMD18K, 19K80)  
10  
mA  
CER  
CER  
EBO  
CE  
CE  
EB  
BE  
=67V, R =2.2kΩ (PMD18K, 19K100)  
BE  
=5.0V  
10  
mA  
mA  
V
3.0  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =100mA, R =2.2kΩ (PMD18K, 19K80)  
80  
CER  
CER  
C
BE  
I =100mA, R =2.2kΩ (PMD18K, 19K100) 100  
V
C
BE  
I =100mA (PMD18K, 19K80)  
80  
V
CEO  
C
I =100mA (PMD18K, 19K100)  
100  
V
CEO  
C
V
V
V
I =15A, I =60mA  
2.0  
2.8  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =15A, I =60mA  
V
C
B
V
=3.0V, I =15A  
2.8  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
=3.0V, I =15A (PMD18K series)  
1.0K  
800  
300  
4.0  
20K  
20K  
C
=3.0V, I =15A (PMD19K series)  
FE  
C
=3.0V, I =9.0A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=3.0V, I =9.0A, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
600  
ob  
E
R1 (2-October 2012)  
12

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