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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 基于收集器的最大容量： | 600 pF | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 240 W | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz | VCEsat-Max： | 2 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMD18K100LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| PMD18K60 | CENTRAL |
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SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS |
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| PMD18K80 | CENTRAL |
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SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS |
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| PMD18K80LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| PMD19D100 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| PMD19D80 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-3 |
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| PMD19K100 | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS |
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| PMD19K100LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| PMD19K60 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| PMD19K60LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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