Datasheet > PMD18D100

PMD18D100

更新时间： 2024-11-27 10:07:39

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	21K
描述
NPN DARLINGTON POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PMD18D100 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMD18D100 数据手册

PMD18D100

S E M E

LA B

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

NPN DARLINGTON

POWER TRANSISTOR

26.6 max.

4. 2

9.0 max.

FEATURES

• TO3 PACKAGE

• 100V

2.5

• 100A PEAK

• 300 WATTS

DESCRIPTION

The PMD18D100 is an NPN Darlington

Power Transistor in a hermetic TO3 package.

The device is a monolothic epitaxial structure

with built in base-emitter shunt resistor

10.9

12.8

TO3 Package.

Case is collector.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector – Base Voltage (Open Emitter)

100V

Collector – Emitter Voltage (Open Base)

Emitter – Base Voltage (Open Collector)

Collector Current Continuous

Peak

50A

100A

I_B

Base Current

1.5A

P_D

Total Power Dissipation at T_case= 50°C

300W

-65 to 200°C

0.4°C/W

T_J,T_STGOperating Junction and Storage Temperature

Thermal Resistance

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Prelim. 10/99

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

中文翻译

下载PDF

与PMD18D100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PMD18D80	NJSEMI	获取价格	Trans Darlington NPN 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-3
PMD18K	CENTRAL	获取价格	SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS
PMD18K100	SEME-LAB	获取价格	NPN DARLINGTON POWER TRANSISTOR
PMD18K100	CENTRAL	获取价格	SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS
PMD18K100LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
PMD18K60	CENTRAL	获取价格	SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS
PMD18K80	CENTRAL	获取价格	SILICON POWER DARINGTON TRANSISTORS
PMD18K80LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
PMD19D100	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 60V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve
PMD19D80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| TO-3