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PMCM4401VNE

更新时间： 2024-02-04 00:05:25

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	319K
描述
SMALL SIGNAL, FET

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PMCM4401VNE 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	4.7 A
最大漏源导通电阻：	0.054 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PBGA-B4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	BALL	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMCM4401VNE 数据手册

PMCM4401VNE

12V, N-channel Trench MOSFET

24 July 2015

Product data sheet

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level

Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

Low threshold voltage

Ultra small package: 0.78 × 0.78 × 0.35 mm

Trench MOSFET technology

•

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

3. Applications

Relay driver

•

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-8

V_GS= 4.5 V; T_amb= 25 °C; t ≤ 5 s

V_GS= 4.5 V; I_D= 3 A; T_j= 25 °C

[1]

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

mΩ

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for

drain 6 cm².

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