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PHE13005

更新时间： 2024-09-25 22:26:35

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	72K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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PHE13005 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PHE13005 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Silicon Diffused Power Transistor

PHE13005

GENERAL DESCRIPTION

The PHE13005 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in high

frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems,

etc.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

V_CESM

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage peak value

V_BE= 0V

700

400

Collector-Base voltage (open emitter)

Collector-emitter voltage (open base)

Emitter-Base voltage (I_B= 0)

Collector current (DC)

I_CM

Collector current peak value

Total power dissipation

Collector-emitter saturation voltage

Fall time

P_tot

V_CEsat

t_f

_mb≤ 25˚C

0.6

0.5

I_C= 2A; I_B= 0.5A

0.2

0.1

I_C= 2A; I_B1= 0.4A; V_BE(OFF)= 5V

µs

PINNING - TO220AB

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

DESCRIPTION

tab

base

collector

emitter

tab collector

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. MAX. UNIT

V_CESM

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector to emitter voltage

V_BE= 0V

700

400

700

Collector to emitter voltage (open base)

Collector to base voltage (open emitter)

Emitter-Base voltage (I_B= 0)

Collector current (DC)

I_CM

Collector current peak value

Base current (DC)

I_B

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

Base current peak value

Total power dissipation

T_mb≤ 25˚C

150

˚C

Storage temperature

Junction temperature

-65

THERMAL RESISTANCES8

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

R_{th j-a}

Junction to mounting base

Junction to ambient

1.67

K/W

in free air

February 1999

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7

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PHE13005 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE186A	NTE	类似代替	Silicon Complementary Transistors Medium Power Audio Amplifier
NTE2353	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode
BUL138	STMICROELECTRONICS	功能相似	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

与PHE13005相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PHE13005,127	NXP	获取价格	PHE13005
PHE13005X	NXP	获取价格	Silicon diffused power transistor
PHE13005X	WEEN	获取价格	High-voltage, high-speed planar-passivated, NPN power switching transistor in a full pack
PHE13005X,127	NXP	获取价格	PHE13005X
PHE13007	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor
PHE13007	WEEN	获取价格	High voltage, high speed NPN planar passivated power switching transistor in a SOT78 (TO22
PHE13007,127	NXP	获取价格	PHE13007
PHE13009	NXP	获取价格	Silicon Diffused Power Transistor
PHE13009	WEEN	获取价格	High voltage, high speed NPN planar passivated power switching transistor in a SOT78 (TO-2
PHE13009,127	NXP	获取价格	PHE13009

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