NTE2353

更新时间： 2024-09-30 22:54:19

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NTE		晶体二极管晶体管功率双极晶体管电视放大器局域网
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2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode

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NTE2353 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PML
包装说明：	TO-3PML, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	2.11
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	800 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	70 W
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE2353 数据手册

NTE2353

Silicon NPN Transistor

TV Horizontal Deflection Output

^w/Damper Diode

Features:

D High Speed: t_f= 100nsec

D High Breakdown Voltage: V_CBO= 1500V

D On–Chip Damper Diode

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Collector Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

I_CES

Test Conditions

V_CE= 1500V

Min Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

–

1.0 mA

V_CB= 800V

I_CBO

–

µA

Collector Sustain Voltage

Emitter Cutoff Current

I_C= 100mA, I_B= 0

V_EB= 4V

V_CEO(sus)

I_EBO

800

–

130 mA

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

I_C= 8A, I_B= 1.6A

V_CE= 5V, I_C= 1A

V_CE= 5V, I_C= 8A

I_EC= 10A

V_CE(sat)

V_BE(sat)

h_FE1

–

1.5

–

h_FE2

2.0

Diode Forward Voltage

FallTime

V_F

–

I_C= 6A, I_B1= 1.2A, I_B2= 2.4A

t_f

–

0.1 0.3 µs

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