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PHE13009

更新时间： 2024-11-13 22:26:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
7页 63K
描述
Silicon Diffused Power Transistor

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PHE13009 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.19
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PHE13009 数据手册

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Philips Semiconductors  
Preliminary specification  
Silicon Diffused Power Transistor  
PHE13009  
GENERAL DESCRIPTION  
The PHE13009 is a silicon npn power switching transistor in the TO220AB envelope intended for use in high  
frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems,  
etc.  
QUICK REFERENCE DATA  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
VCESM  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-emitter voltage peak value  
VBE = 0 V  
-
700  
700  
400  
12  
V
V
V
A
A
W
V
Collector-Base voltage (open emitter)  
Collector-emitter voltage (open base)  
Collector current (DC)  
-
-
-
ICM  
Collector current peak value  
Total power dissipation  
Collector-emitter saturation voltage  
-
-
24  
Ptot  
Tmb ≤ 25 ˚C  
80  
VCEsat  
hFEsat  
tf  
IC = 5.0 A;IB = 1.0 A  
IC = 5.0 A; VCE = 5 V  
IC = 5.0 A; IB1 = 1.0 A  
0.32  
-
1.0  
40  
Fall time  
0.1  
0.5  
µs  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
c
tab  
base  
2
collector  
emitter  
b
3
tab collector  
e
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. MAX. UNIT  
VCESM  
VCEO  
VCBO  
IC  
Collector to emitter voltage  
VBE = 0 V  
-
700  
400  
700  
12  
V
V
Collector to emitter voltage (open base)  
Collector to base voltage (open emitter)  
Collector current (DC)  
-
-
V
-
A
ICM  
Collector current peak value  
Base current (DC)  
Base current peak value  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction temperature  
-
24  
A
IB  
IBM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
6
A
-
-
12  
A
Tmb ≤ 25 ˚C  
80  
W
˚C  
˚C  
-65  
-
150  
150  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Junction to mounting base  
Junction to ambient  
-
1.56  
-
K/W  
K/W  
in free air  
60  
March 1999  
1
Rev 1.000  
1234567

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与PHE13009相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHE13009,127 NXP

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 		PHE13009
PHE13009/DG,127 NXP

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 		PHE13009
PHE426 KEMET

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 		Single metallized film pulse capacitor, polypropylene dielectric
PHE426DJ4100JR05 KEMET

获取价格

 		Single metallized film pulse capacitor, polypropylene dielectric
PHE426DJ4120J KEMET

获取价格

 		CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPROPYLENE, 100V, 0.0012uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEAD
PHE426DJ4120JR05 KEMET

获取价格

 		Single metallized film pulse capacitor, polypropylene dielectric
PHE426DJ4150J KEMET

获取价格

 		CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPROPYLENE, 100V, 0.0015uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEAD
PHE426DJ4150JR05 KEMET

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 		Single metallized film pulse capacitor, polypropylene dielectric
PHE426DJ4180JR05 KEMET

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 		Single metallized film pulse capacitor, polypropylene dielectric
PHE426DJ4220J KEMET

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 		CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPROPYLENE, 100V, 0.0022uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEAD

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