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PHE13005X

更新时间： 2024-09-27 17:01:23

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瑞能 - WEEN		/
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14页	500K
描述
High-voltage, high-speed planar-passivated, NPN power switching transistor in a full pack plastic package for use in high frequency electronic lighting ballast applications

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PHE13005X 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最大降落时间（tf）：	900 ns
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	26 W
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	4900 ns	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

PHE13005X 数据手册

PHE13005X

Silicon diﬀused power transistor

Rev.03 - 26 April 2018

Product data sheet

1. General description

High-voltage, high-speed planar-passivated, NPN power switching transistor in SOT186A

(TO-220F) plastic package for use in high frequency electronic lighting ballast applications

2. Features and beneﬁts

•

Fast switching

•

High voltage capability of 700 V

Low thermal resistance

Isolated package

3. Applications

•

Electronic lighting ballasts

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Values

Unit

Absolute maximum rating

V_CESM

collector-emitter

peak voltage

V_BE= 0 V

700

I_C

DC; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3

T_h≤ 25 °C; Fig. 4

Conditions

collector current

P_tot

total power dissipation

Symbol Parameter

Static characteristics

Min

Typ

Max

Unit

h_FE

DC current gain

I_C= 1 A; V_CE= 5 V; T_h= 25 °C;

Fig. 11

I_C= 2 A; V_CE= 5 V; T_h= 25 °C;

Fig. 11

12 3 4 5 6 7...14

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