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NTE186A

更新时间: 2024-10-29 22:54:23
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NTE 晶体音频放大器晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon Complementary Transistors Medium Power Audio Amplifier

NTE186A 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SFM
包装说明:TO-202M, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:2.11Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-202
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:10 W
最大功率耗散 (Abs):10 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

NTE186A 数据手册

 浏览型号NTE186A的Datasheet PDF文件第2页 
NTE186A (NPN) & NTE187A (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Medium Power Audio Amplifier  
Features:  
D 5W Output in Complementary Pair  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Peak Collector Current, ICP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA  
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0  
50  
40  
1
V
V
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 10mA, IB = 0  
Collector Cutoff Current  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
fT  
VCB = 20V, IE = 0  
VCE = 12V, IB = 0  
VEB = 5V, IC = 0  
µA  
100 µA  
100 µA  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
VCE = 5V, IC = 1A  
VCE = 5V, IC = 500mA  
50  
120 220  
Transition Frequency  
150  
MHz  
V
Base–Emitter Saturation Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Collector Output Capacitance  
VBE(sat) IC = 2A, IB = 200mA  
VCE(sat) IC = 2A, IB = 200mA  
1.5  
1.0  
0.4  
50  
V
Cob  
VCB = 5V, IE = 0, f = 1MHz  
pF  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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