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PG05FSESC PDF预览

PG05FSESC

更新时间： 2024-11-02 10:13:43
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管电视光电二极管电子便携式局域网
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Single Line TVS Diode for ESD Protection in Portable Electronics

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PG05FSESC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ESC, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
Is Samacsys：N最小击穿电压：6 V
击穿电压标称值：6 V最大钳位电压：14.5 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散：100 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：5 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PG05FSESC 数据手册

 浏览型号PG05FSESC的Datasheet PDF文件第2页 
PG05FSESC  
SEMICONDUCTOR  
Single Line TVS Diode for ESD  
Protection in Portable Electronics  
TECHNICAL DATA  
Protection in Portable Electronics Applications.  
C
E
FEATURES  
1
100 Watts peak pulse power (tp=8/20 s)  
Transient protection for data lines to  
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)  
IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)  
IEC 61000-4-5(Lightning) 10A(tp=8/20 s)  
Small package for use in portable electronics.  
Suitable replacement for Multi-Layer Varistors in ESD  
protection applications.  
2
D
F
DIM MILLIMETERS  
_
A
B
C
D
E
F
1.60+0.10  
_
1.20+0.10  
(* Multi-Layer Varistors [0402 Size])  
Protects on I/O or power line.  
_
0.80+0.10  
_
+
0.30 0.05  
_
+
0.60 0.10  
1. ANODE  
_
+
0.13 0.05  
Low clamping voltage.  
2. CATHODE  
Low leakage current.  
APPLICATIONS  
ESC  
Cell phone handsets and accessories.  
Microprocessor based equipment.  
Personal digital assistants (PDA’s)  
Notebooks, desktops, & servers.  
Portable instrumentation.  
Pagers peripherals.  
Marking  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
CATHODE MARK  
SYMBOL  
RATING  
100  
UNIT  
W
2
1
PPK  
IPP  
Tj  
Peak Pulse Power (tp=8/20 s)  
Peak Pulse Current (tp=8/20 s)  
Junction Temperature  
5S  
10  
A
-55 150  
-55 150  
Tstg  
Storage Temperature  
2
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Reverse Stand-Off Voltage  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
SYMBOL  
VRWM  
VBR  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
-
-
6
-
-
-
-
-
-
-
5
-
It=1mA  
V
IR  
VRWM=5V  
5
A
-
9.8  
10.0  
80  
IPP=5A, tp=8/20 s  
IPP=10A, tp=8/20 s  
VR=0V, f=1MHz  
VC  
CJ  
Clamping Voltage  
V
-
Junction Capacitance  
-
pF  
2005. 6. 24  
Revision No : 1  
1/2  
12

中文翻译

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PG05FSESC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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