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PG05HSUSC PDF预览

PG05HSUSC

更新时间： 2024-11-02 10:13:43
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管电视光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 34K
描述
Single Line TVS Diode for ESD

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PG05HSUSC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.7
Is Samacsys：N最小击穿电压：6 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
最大非重复峰值反向功率耗散：350 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：5 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

PG05HSUSC 数据手册

 浏览型号PG05HSUSC的Datasheet PDF文件第2页 
PG05HSUSC  
SEMICONDUCTOR  
Single Line TVS Diode for ESD  
Protection in Portable Electronics  
TECHNICAL DATA  
Protection in Portable Electronics Applications.  
G
B
1
FEATURES  
· 350 Watts peak pulse power (tp=8/20μs)  
· Transient protection for data lines to  
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)  
IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)  
IEC 61000-4-5(Lightning) 24A(tp=8/20μs)  
· Small package for use in portable electronics.  
· Suitable replacement for Multi-Layer Varistors in ESD  
protection applications.  
H
2
J
D
C
I
DIM  
A
B
MILLIMETERS  
_
2.50 0.1  
+
_
1.25+0.05  
_
+
0.90 0.05  
C
D
E
0.30+0.06/-0.04  
· Protects on I/O or power line.  
M
M
_
+
1.70 0.05  
F
MIN 0.17  
_
· Low clamping voltage.  
+
0.126 0.03  
G
H
I
· Low leakage current.  
1. ANODE  
0~0.1  
1.0 MAX  
2. CATHODE  
_
0.15+0.05  
J
_
0.4+0.05  
K
L
2
+4/-2  
APPLICATIONS  
M
4~6  
· Cell phone handsets and accessories.  
· Microprocessor based equipment.  
· Personal digital assistants (PDA’s)  
· Notebooks, desktops, & servers.  
· Portable instrumentation.  
USC  
· Pagers peripherals.  
Marking  
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
CATHODE MARK  
Lot No.  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
350  
UNIT  
W
2
1
PPK  
IPP  
Tj  
Peak Pulse Power (tp=8/20μs)  
Peak Pulse Current (tp=8/20μs)  
Operating Temperature  
5H  
24  
A
-55∼ 150  
-55∼ 150  
℃
Type Name  
Tstg  
Storage Temperature  
℃
2
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Reverse Stand-Off Voltage  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
5
UNIT  
V
VRWM  
VBR  
IR  
-
-
6
-
-
-
-
-
-
-
It=1mA  
VRWM=5V  
-
V
10  
μA  
IPP=5A, tp=8/20μs  
IPP=24A, tp=8/20μs  
VR=0V, f=1MHz  
-
9.8  
14.5  
350  
VC  
CJ  
Clamping Voltage  
V
-
Junction Capacitance  
-
pF  
2008 .9 .11  
Revision No : 2  
1/2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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