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PG05NSSMB

更新时间： 2024-09-27 12:20:23

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KEC		二极管电视
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2页	438K
描述
Single Line TVS Diode for ESD Protection

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PG05NSSMB 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.68	最大击穿电压：	7.07 V
最小击穿电压：	6.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PG05NSSMB 数据手册

SEMICONDUCTOR

PG05NSSMB

Single Line TVS Diode for ESD Protection

TECHNICAL DATA

Protection of Voltage Sensitive Components.

FEATURES

Low profile package.

Transient protection for data line to

APPLICATIONS

Devices for Unidirectional Applications.

Automotive Controller.

DIM MILLIMETERS

Notebooks, Desktops, & Servers.

4.25 ~ 4.75

3.48 ~ 3.73

1.93 ~ 2.08

5.26 ~ 5.46

0.90 ~ 1.41

1.99 ~ 2.61

0.15 ~ 0.31

0.10 ~ 0.20

1. ANODE

2. CATHODE

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

RATING

600

UNIT

SMB

P_PK

I_PP

T_j

Peak Pulse Power (tp=10/1000 s)

Peak Pulse Current (tp=10/1000 s)

Operating Temperature

65.2

-55 150

T_stg

Storage Temperature

Marking

Type Name

* Notes) : (1) Derated above Ta=25 per power derating curve.

(2) Mounted on 0.2 0.2 (5.0 5.0 ) copper pads to each terminal.

(3) Mounted on minimum recommened pad lay out

T05

Lot No.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Clamping Voltage

SYMBOL

V_RWM

V_BR

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

I_t=10mA

6.40

7.07

800

9.2

I_R

V_RWM=5V

V_C

I_PP=65.2A, tp=10/1000 s

2007. 6. 8

Revision No : 1

1/2

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