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PG05GBUSC

更新时间： 2024-09-27 10:13:43
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管电视电子便携式
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Single Line TVS Diode for ESD Protection in Portable Electronics

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PG05GBUSC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.68
最小击穿电压：6 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2最大非重复峰值反向功率耗散：350 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PG05GBUSC 数据手册

 浏览型号PG05GBUSC的Datasheet PDF文件第2页 
PG05GBUSC  
SEMICONDUCTOR  
Single Line TVS Diode for ESD  
Protection in Portable Electronics  
TECHNICAL DATA  
Protection in Portable Electronics Applications.  
G
B
1
FEATURES  
· 350 Watts peak pulse power (tp=8/20μs)  
· Transient protection for data lines to  
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)  
IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)  
IEC 61000-4-5(Lightning) 24A(tp=8/20μs)  
· Bidirectional Type Pin Configuration Structure.  
· Small package for use in portable electronics.  
· Suitable replacement for Multi-Layer Varistors in ESD protection applications.  
· Protects on I/O or power line.  
H
2
J
D
C
I
DIM  
A
B
MILLIMETERS  
_
2.50+0.1  
_
1.25+0.05  
_
+
0.90 0.05  
C
D
E
0.30+0.06/-0.04  
M
M
_
+
1.70 0.05  
F
MIN 0.17  
_
· Low clamping voltage.  
+
0.126 0.03  
G
H
I
· Low leakage current.  
1. ANODE  
2. ANODE  
0~0.1  
1.0 MAX  
_
0.15+0.05  
J
_
0.4+0.05  
K
L
2
+4/-2  
APPLICATIONS  
M
4~6  
· Cell phone handsets and accessories.  
· Microprocessor based equipment.  
· Personal digital assistants (PDA’s)  
· Notebooks, desktops, & servers.  
· Portable instrumentation.  
USC  
· Pagers peripherals.  
Marking  
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
Lot No.  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
350  
UNIT  
W
2
1
PPK  
IPP  
Tj  
Peak Pulse Power (tp=8/20μs)  
Peak Pulse Current (tp=8/20μs)  
Operating Temperature  
5G  
24  
A
-55∼ 150  
-55∼ 150  
℃
Type Name  
Tstg  
Storage Temperature  
℃
2
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Reverse Stand-Off Voltage  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
Clamping Voltage  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
5
UNIT  
V
VRWM  
VBR  
IR  
-
-
6
-
-
-
-
-
-
It=1mA  
VRWM=5V  
-
V
10  
μA  
V
VC  
IPP=24A, tp=8/20μs  
-
14.5  
200  
CJ  
VR=0V, f=1MHz  
Junction Capacitance  
-
pF  
2008 .9 .11  
Revision No : 1  
1/2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PG05GBUSV KEC

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