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PDTC114EK,135

更新时间： 2024-02-10 17:16:58

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	92K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, PLASTIC, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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PDTC114EK,135 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.59	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PDTC114EK,135 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN resistor-equipped transistors;

R1 = 47 kΩ, R2 = 47 kΩ

PDTC144E series

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

in free air

VALUE

UNIT

R_th(j-a)

thermal resistance from junction to ambient

SOT54

note 1

250

500

625

833

500

K/W

SOT23

note 1

SOT346

SOT323

SOT416

SOT490

SOT883

note 1

notes 1 and 2

notes 2 and 3

Notes

1. Refer to standard mounting conditions.

2. Reflow soldering is the only recommended soldering method.

3. Refer to SOT883 standard mounting conditions; FR4 with 60 µm copper strip line.

CHARACTERISTICS

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

V_CB= 50 V; I_E= 0 A

MIN.

TYP. MAX. UNIT

I_CBO

I_CEO

collector-base cut-off current

collector-emitter cut-off current

−

100

µA

V_CE= 30 V; I_B= 0 A

−

V_CE= 30 V; I_B= 0 A; T_j= 150 °C

V_EB= 5 V; I_C= 0 A

−

I_EBO

h_FE

emitter-base cut-off current

DC current gain

−

V_CE= 5 V; I_C= 5 mA

−

V_CEsat

V_i(off)

V_i(on)

collector-emitter saturation voltage I_C= 10 mA; I_B= 0.5 mA

−

150

0.8

−

input-off voltage

input-on voltage

input resistor

I_C= 100 µA; V_CE= 5 V

−

1.2

1.6

I_C= 2 mA; V_CE= 0.3 V

kΩ

-------

resistor ratio

0.8

1.2

2.5

C_c

collector capacitance

I_E= i_e= 0 A; V_CB= 10 V;

f = 1 MHz

−

2004 Aug 17

1 2 3 456 7 8...14

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与PDTC114EK,135相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDTC114EK/T3	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, PLASTIC, SC-59A, 3 PIN,	获取价格
PDTC114EKT/R	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, PLASTIC, SC-59A, 3 PIN,	获取价格
PDTC114EM	NXP	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm	获取价格
PDTC114EM	NEXPERIA	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ	获取价格
PDTC114EM,315	NXP	PDTC114E series - NPN resistor-equipped trans	获取价格
PDTC114EMB	NXP	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kÎ©	获取价格